產業中心/綜合報導
永泉晶圓自 2018 年成立來，以「重塑全球半導體材料版圖」為使命，全力投入最前沿的 SiC 長晶技術、極限坩鍋熱場設計、革命性長晶爐開發與先進粉料製造。憑藉對技術極限的持續突破，公司於 2024 年在桃園中壢建置先進生產基地，迅速躍升為全球高功率半導體材料領域的關鍵力量。短短兩年內，即成功量產 6 吋與 8 吋 SiC 單晶晶錠，良率穩定超過 85%，晶錠厚度達 25–35mm，技術指標全面領先同業，成為產業最具競爭力的 SiC 材料供應商。
全球第一梯隊量產 12 吋 SiC 進軍 AI 與高階散熱市場
2025 年 4 月，永泉晶圓突破第三代半導體製程極限，成功研製出 12 吋 SiC 單晶晶錠，成為全球(非中國大陸地區)第一家生產 12 吋 SiC 的企業，更於 9 月達成穩定量產，正式躋身全球大尺寸 SiC 技術領導者之列。12 吋產品已量產並出貨國際客戶，快速切入 AI 伺服器與 HPC 所需的高導熱散熱材料供應鏈。
2025 年公司同步提出八項核心發明專利，涵蓋長晶技術、石墨坩鍋熱場與粉料製造，並以自主研發的 12 吋長晶設備完成材料至設備的完整垂直整合，技術門檻與研發速度大幅領先國際競爭者。
8 年深耕打造全球少數的全尺寸 SiC 完整能力
永泉晶圓投入 SiC 技術逾 8 年，完整掌握粉末製造、籽晶技術、熱場設計、長晶爐研發以及晶錠等後段加工，是全球少數能從原料到晶錠、再到晶圓全面掌控的材料企業。公司發言人戈副總指出，永泉晶圓 6 吋與 8 吋產品已通過日本多家車用大廠測試並導入使用，應用於電動車逆變器、變壓器、OBC 車載充電器與快充系統，並由日本代理商推向更多車用與消費性快充市場，顯示公司產品已具備全球車規級實力。
12 吋 SiC 成為 AI 時代關鍵散熱突破口
在 AI 伺服器功耗快速飆升的趨勢下，散熱能力成為影響運算效率的關鍵。12 吋 SiC 不僅可作為晶片製程材料，其高導熱、高強度、高耐熱應力特性更使其成為頂層散熱結構的最理想材料。永泉晶圓 12 吋 SiC 產品已被國際客戶導入高端 IC 散熱方案，被視為下一世代資料中心與 HPC 系統不可或缺的核心材料。
攜手工研院 打造可全面取代高端 ALN 的新世代散熱基板
2025 年 5 月，永泉晶圓獲選經濟部產業升級創新平台的創新優化計畫之「高散熱 SiC 單晶基板開發計畫」，並與工研院共同研發熱傳導係數超過 350 W/mK 的複合型新材料，以取代高端 ALN DPC 基板。戈副總表示，此技術將對射頻（RF）前端模組與功率模組帶來重大革命，永泉晶圓的技術突破將取得新一波國際競爭優勢。
技術自主、布局完整 永泉晶圓成全球第三代半導體產業之光
憑藉自主長晶設備、自製粉料與籽晶、完整製程掌控力，永泉晶圓成功跨入全球極少數能量產 12 吋 SiC 單晶的企業。從 6 吋、8 吋到跨世代的 12 吋布局，永泉晶圓不僅強化第三代半導體供應鏈，更以突破性的 12 吋高導熱 SiC 產品配合帶動全球散熱技術革新。
展望未來，永泉晶圓將持續擴大產能、深化技術並加速國際合作，目標成為全球化合物半導體供應鏈中最具影響力的核心技術供應者，為半導體產業開啟下一個十年。
